Obiettivi di sputtering al tungsteno all'80%
Forma del bersaglio: piastra, disco, rettangolo, quadrato, anello, asta tonda, disco a gradini, rettangolo a gradini, triangolo, bersaglio tubolare, bersaglio annidato, ecc. o personalizzato in base alle esigenze del cliente, e può essere elaborato in base ai disegni forniti dal cliente. Possiamo anche fornire ai clienti servizi di rilegatura per alcuni materiali del bersaglio.
Dimensioni di riferimento: diametro inferiore o uguale a 355,6 mm (14 pollici), lunghezza inferiore o uguale a 1000 mm, larghezza inferiore o uguale a 200 mm, spessore inferiore o uguale a 20 mm
Obiettivi di sputtering 80% W
Quali sono i processi per lo sputtering dei target?
Il processo di sputtering target viene utilizzato principalmente in due aspetti: incisione mediante sputtering e deposizione di film sottili.
Quando si depositano film sottili, la sorgente di sputtering viene posizionata sul target e bombardata da ioni di argon per produrre sputtering. Se il materiale target è una sostanza singola, si forma un film sottile del materiale target sul substrato; se il gas reattivo viene introdotto intenzionalmente nella camera di sputtering, reagisce chimicamente con gli atomi target sputterati e si deposita sul substrato. Si può formare un film composto del materiale target. In genere, i film composti o in lega vengono prodotti tramite sputtering diretto con un target composto o in lega.
Bersaglio per sputtering in titanio e tungsteno all'80%
Durante l'incisione a sputtering, il materiale da incidere viene posizionato nella posizione target e bombardato da ioni di argon per l'incisione. La velocità di incisione è correlata a fattori quali la resa di sputtering del materiale target, la densità di corrente ionica e il grado di vuoto della camera di sputtering. Durante l'incisione a sputtering, gli atomi target sputterati devono essere rimossi dalla camera di sputtering il più possibile. Un metodo comune è quello di introdurre un gas reattivo, reagire con gli atomi target sputterati per generare gas volatile e quindi scaricarlo dalla camera di sputtering tramite un sistema di vuoto.
